碳化硅(SiC)作为一种半导体材料，在多种应用中优于纯硅基半导体，被广泛应用于用于功率逆变器、电机驱动器和电池充电器。SiC器件具有高功率密度和降低高频功率损耗等优点，即使在高压下也能保持，且具有相对较低的成本。尽管如此，SiC仍存在长期可靠性问题。 4H-SiC(一种具有优异物理性能的SiC)最紧迫的问题之一是双极退化。这种现象是由4H-SiC晶体中堆垛层错的扩展引起的。简而言之，晶体结构中的小

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