据报道，德州仪器正加速将氮化镓(GaN)生产工艺从6英寸向8英寸过渡，以提高产能、获得成本优势。 德州仪器韩国总监Ju-Yong Shin表示，公司目前采用6英寸工艺生产氮化镓半导体，美国达拉斯工厂有望在2025年之前过渡到8英寸工艺，日本的会津工厂则正在将硅基8英寸生产线转换为GaN产线。 目前GaN 应用主要以外延为主，硅基衬底成本低，GaN-on-Si生长速度较快，较容易扩展到8英寸晶圆。随

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